| 製品名: | 炭化ケイ素の陶磁器の棒 | 材料: | RBSiC |
|---|---|---|---|
| 弾性率: | 320GPa | 硬度: | 90HRA |
| 最高。温度: | 1600℃ | 熱伝導性: | 100-120W/m.k |
| ハイライト: | 軽量炭化ケイ素セラミックス、機械加工用炭化ケイ素セラミックス、炭化ケイ素セラミックスプレート,Machining Silicon Carbide Ceramics,Silicon Carbide Ceramic Plate |
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炭化ケイ素セラミックディスクプレート Sicセラミックプレート 焼結炭化ケイ素プレート
炭化ケイ素 (SiC) は、高強度特性、優れた熱伝導率、低熱膨張を備えた軽量のセラミック材料であり、酸による腐食に耐性があります。その優れた特性により、炭化ケイ素製品は今日、さまざまな分野でますます広く使用されています。
製造:
| 商品名 | 炭化ケイ素セラミックディスク |
| 材料 | RBSiC |
| サイズ | 図面またはサンプルでカスタマイズ |
| プレス工程 | ドライプレス |
| 仕上げ加工 | 研削または研磨が可能 |
RBSIC の技術的パラメータ:
| アイテム | ユニット | RBSIC |
| 体積密度 | グラム/cm3 | ≧3.03 |
| 硬度 | HRA | ≧90 |
| 圧縮強度 | MPa | ≥2000 |
| 曲げ強度 | MPa | ≧350 |
| 遊離シリコン含有量 | % | ≤12 |
| 弾性係数 | GPa | 350 |
| 熱伝導率 | W/mK | 50~100 |
| 最高使用温度 | ℃ | 1100 |
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